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背景
部分芯片,在应用时,因用户电源处加的电容很大,用户底板掉电时导致整板放电速度较慢,在低电压重新启动时,此时容易造成放电不完全,使得 IC 无法正常运作。例如A7139芯片这类没有外部复位IO的模组(2D717N20和2D317N20模组)。
建议在 RF_VCC 处不要加电容,如果加电容,或整板放电较慢,有如下两种解决方案可选择。
过程
方案一:
优点,可以通过 BJT 快速充分放电。
缺点,需要一个 BJT 和一 MOS。
方法: 使用 1 个 BJT 和一个 MOS 电路,由MCU 控制 BJT 和 MOS, 外部电源要提供给 RF_VCC时,要先经过 SS8050 放电,接着再由 RTU002P02T106 提供电源给 RF_VCC。运作模式为:VCC 提供电源时, MCU 先提供高电位,透过 SS8050 先放电,放电约 5ms~10ms后,再提供低电位,VCC 才会透过 RTU002P02T106 提供电源给 RF_VCC。
方案二:
优点:只用一个 MOS,放电靠模块 IO 口放电。
缺点:放电速度较慢,需要较长延时等待,RF_VCC 不要加电容。
方法:使用 MCU 控制 MOS (RTU002P02T106),在给 RF_VCC 上电时, MCU 先提供高电位,使得 RF_VCC 断电,此时将 MCU 的 SDIO,SCS,SCK,GIO1,GIO2,设置为输出低电平,模块依靠自放电和 IO 放电,将内部电量放光,然后 MCU 再提供低电位, 使得 RF_VCC 上电。 电路图如下:
结论
方案一用的器件多一些,但是电路本身带放电功能,板子面积大,对成本要求不是非常高的可以选用,掉电后无需对控制IO做额外处理。
方案二用的器件少一些,但是电路本身不带放电功能,板子面积小,对成本要求非常高的可以选用,掉电后需对控制IO做额外处理。
原稿:L.X.Y.0001567
编辑:P.B.000698
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