1 引言
本文档定义了利尔达NT26E系列Cat.1模组的应用规范，描述了其硬件接口、电气特性、应用方法和机械规范等内容。
本文档可以帮助用户快速了解模组的硬件接口规范、电气、机械特性以及其它相关信息，结合其它相应的文件，可以快速将模组应用于无线应用场景中。
2 产品综述
NT26E系列模组为全球领先的Cat.1无线通信模组，符合3GPP标准，支持Band1、Band3、Band5、Band8、Band34、Band38、Band39、Band40、Band41频段⑴，具有体积小、功耗低、抗干扰能力强等特点。使用该模组，可以方便客户快速、灵活的进行产品设计，如智能抄表、智能停车、智慧城市、智能安防、资产追踪、智能家电、农业和环境监测等。
注：不同特征符的模组支持的频段可能不同，详见适用模组选型表。
2.1 频段及功能
本文档中描述的NT26E系列代表该系列型号的统称，表2-1为NT26E系列模组支持的Band说明。
表2-1 NT26E系列模组支持Band说明
注：NT26E YMA型模组不支持Band1、Band5，下文不再重复描述。
2.2 关键特性
下表为产品关键特性说明：
表2-2 模组关键特性说明
注：⑴当模组在此温度范围内工作时，模组的相关性能满足3GPP标准要求。
⑵当模组在此温度范围内工作时，模组仍能保持正常工作状态，不会出现不可恢复的故障；仅个别指标，如输出功率等参数值可能会超出3GPP标准的范围。当温度恢复至正常工作范围时，模组的各项指标仍符合3GPP标准。
⑶此存储温度范围，不包含包装材料，需要注意卷带包装的最高耐受温度。
2.3 功能框图
下图为产品功能框图：
图2.1 功能框图
2.4 引脚分布图
NT26E模组共有97个引脚，其中45个为LCC引脚，其余52个为LGA引脚：
图2.2 引脚分配图（适用NT26-E系列）
2.5 引脚描述表
便于更好的理解应用，下表是I/O参数的类型定义说明：
表2-3 I/O参数的类型定义说明
便于更好的理解应用，下表是电源域参数的特性说明：
表2-4 模组电源域特性说明 表2-5 模组引脚描述
2.6 评估套件
利尔达可提供完整的评估及开发套件，有USB接口的开发EVK板，欢迎联系咨询。
3 工作特性
3.1 工作模式
下表简要地叙述了模组的几种工作模式。
表3-1工作模式
3.2 最小功能模式
模组可以通过AT指令进入最小功能模式，当模组进入最小功能模式时，射频功能不可使用，而且所有与射频相关的AT命令不可访问。
可通过如下方式使模组进入最小功能模式：
软件方式：模式可以通过发送AT+LSCLK=1和AT+CFUN=0命令来设置。<fun>参数可以选择0或1。
AT+CFUN=0：最少功能模式（关闭射频功能和USIM卡）。
AT+CFUN=1：全功能模式（默认）。
3.3 睡眠模式
模组可以通过AT指令进入睡眠模式，在睡眠模式下，模组可将功耗降到极低水平，模组射频仍能接收网络的信息：
图3.1 睡眠模式下模组的功耗状态
在睡眠模式下，模组外设掉电以降低功耗，但射频处于间隔接收的状态，仍能接收网络的信息。当模组有URC需要上报时，会通过RI引脚唤醒主机。
3.3.1 主串口应用场景
如果模组和主机通过UART进行通信，需同时满足如下2个条件使模组进入睡眠模式：
●执行AT+LSCLK=1命令使能睡眠功能。
●确保WAKEUP_IN保持高电平或悬空。
图3.2 睡眠模式UART的应用电路
●当模组有URC需要上报时，模组通过RI通知主机。
●主机拉低WAKEUP_IN可以唤醒模组。
●如果主机持续拉低WAKEUP_IN，可以禁止模组进入睡眠模式。
●模组主串口RXD支持低功耗串口唤醒，也可以通过拉低主串口RXD唤醒模组。
3.4 电源设计
NT26E系列模组提供给了2个VBAT引脚用于连接外部电源，接口描述如下表：
表3-2 电源引脚定义
模组的供电范围为3.3～4.3V，需要确保模组工作时导致的电压跌落，最低输入电压不低于3.3V。下图是模组在突发传输时电压跌落情况。
图3.3 突发传输电源要求
当模组在4G网络最大发射功率下工作时，现网下的瞬态工作电流能达到2A，并可能引起电源电压跌落。在任何情况下，需保证模组电源电压保持在3.3V以上，否则模组可能出现重启等意外状况。为了减少电压跌落，需要使用低ESR(ESR<0.7Ω)的100uF滤波电容。同时建议，给VBAT预留3个具有良好ESR性能的片式多层陶瓷电容(MLCC)，且电容应靠近VBAT引脚放置。同时，建议在VBAT端增加一个大功率低钳位电压和高反向脉冲电流Ipp的TVS管以提高模组的浪涌电压承受能力。
参考电路如下：
图3.4 模组供电电路参考
PCB设计上VBAT走线越长，线宽越宽，建议走线宽度不低于2mm，电源部分的GND平面要尽量完整且多打地孔，同时去耦电容尽可能的靠近模组的VBAT引脚。其中：
●D1为大功率低钳位电压的TVS管。
●C1为100uF低ESR的钽电容，提高电源的续流能力以及稳定电压。
●C2~C5分别为100nF、33pF、8.2pF陶瓷封装的滤波电容，去除高频干扰。
3.5 开机
NT26E模组通过PWRKEY引脚实现开机。
表3-3 PWRKEY管脚描述
3.5.1 开机电路参考设计
可以使用MCU输出信号控制模组开机，或者直接通过一个按钮控制开机，按钮附近需放置一个TVS用于ESD保护，参考电路如下。
图3.5 开机电路
上电按键开机时序如下图所示：
图3.6 上电开机时序图
上电开机描述：
A：初始态；B：VBAT上电稳定态；C：按PWRKEY开机；D：内部稳定态。
注①：VBAT上电初始态需小于0.1V；VABT从0V上升到2.5V的时间<10ms,否则不能确保所有场景PWRKEY正常工作；在拉低PWRKEY引脚之前，需保证VBAT电压稳定。
注②：建议从VBAT上电到拉低PWRKEY引脚之间的时间间隔不少于30ms。
注③：PWRKEY按下＞500ms，系统开机。
注④：VDD_EXT滞后PWRKEY下降沿约100ms上电。
如果客户需要上电自动开机且不需要关机功能，则可以把PWRKEY直接下拉到地，下拉电阻建议选择1kΩ。
开机时需要保证RESET不能被拉低且USB_BOOT引脚不能被拉高。
模组主串口发送“Lierda”字符即代表开机完成。
3.6 关机
NT26E系列模组支持软硬件关机。
●软件AT关机指令：AT+LPOWD。
●硬件关机：开机状态下，将PWRKEY（默认高电平）下拉至低电平，持续3S，执行关机。
3.7 复位
模组通过以下方式复位：
●硬件复位：RESET引脚，低电平有效。
●软件复位：发送“AT+LRST”命令复位。
RESET引脚模组内部默认上拉，防倒灌（外部输入3.6V以下电压不会存在电流倒灌）。RESET信号对干扰比较敏感，因此建议在模组接口板上的走线应尽量短，且需包地处理。
表3-4 复位引脚描述
3.7.1 复位电路参考设计
RESET引脚模组默认内部上拉，不用可悬空。
硬件复位电路参考，如下所示：
图3.7 晶体管复位与按键复位参考电路
注意事项：
●复位过程中，VBAT/32K时钟都需要处于稳定状态。
●复位线走线不宜过长，注意包地保护，远离RF、VBAT电源及强信号干扰源，晶体管尽量靠近模组RESET引脚，以免受外界信号干扰。
●建议在模组的RESET引脚预留一颗不超过10nF的电容位置，默认不贴。
3.8 唤醒
模组在睡眠模式下，可以通过低功耗串口MAIN_RXD或WAKEUP_IN引脚唤醒。
睡眠模式下，模组VDD_EXT引脚无输出，唤醒后才能恢复输出，在超低功耗应用场景需要注意。模组处于睡眠状态时，MCU可以通过低功耗串口给模组发数据，从而唤醒模组退出睡眠模式；也可拉低唤醒引脚500ms或更长时间能实现模组唤醒。WAKEUP_IN引脚模组内部默认上拉，防倒灌（外部输入3.6V以下电压不会存在电流倒灌）。WAKEUP_IN信号对干扰比较敏感，因此建议在模组接口板上的走线应尽量短，且需包地处理。
表3-5 WAKEUP_IN引脚定义
3.8.1 唤醒电路参考设计
WAKEUP_IN引脚模组默认内部上拉，不用可悬空。
硬件复位电路参考，如下所示：
图3.8 晶体管唤醒参考电路
注意事项：
●唤醒过程中，VBAT/32K时钟都需要处于稳定状态；
●WAKEUP_IN引脚建议拉低时间大于500ms；
●唤醒走线不宜过长，注意包地保护，远离RF、VBAT电源及强信号干扰源，晶体管尽量靠近模组WAKEUP_IN引脚，以免受外界信号干扰。
●唤醒引脚持续拉低是禁止进入睡眠态。
3.9 MAIN_RI
NT26E系列模组支持消息振铃功能。用户可根据RI引脚的状态来判断此时的消息情况，默认状态开启，不用则悬空。
表3-6 RI引脚定义
3.10 ADC接口
模块提供对外4个12位模数转换输入接口，默认ADC采用内置分压模式；如果需要外置分压，需要软件支持。其引脚定义如下：
表3-7 状态指示灯定义
3.11 状态指示信号
NT26E系列具备1个状态指示灯接口，详细灯光定义如下。
表3-7 状态指示灯定义
3.11.1 指示灯电路参考设计
参考设计如图：
图3.9 NET_STATUS参考电路
4 应用接口
NT26E系列模组提供了以下应用接口：
●一路USB接口。
●两路UART接口。
●一路USIM接口。
4.1 USB接口
NT26E系列模组支持USB2.0接口，USB输入/输出信号兼容USB2.0接口规范，接口定义如下表所示。
表4-1 USB接口引脚说明
4.1.1 USB电路参考设计
图4.1 USB接口参考设计 图4.2 USB连接MCU参考设计
注意：
1、为了确保USB的性能，USB DP、DM走线保持90Ω的差分阻抗，周围需要包地处理。建议在MCU与模组间串联一个共模电感L1防止USB信号产生EMI干扰，L1需要靠近模放置。
2、USB走线，远离晶振、振荡器、磁性装置、射频信号和强信号区域，建议走内层差分走线且上下左右立体包地。
3、如果模组USB接口和MCU是通过接插件连接，需要在接口处加TVS管保护。ESD防护器件选型需特别注意，其寄生电容不要超过2pF，且尽量靠近USB接口放置。
4、预留R1~R4电阻，平时贴R1~R2、不贴R3~R4可以正常连接MCU；需要调试时，贴R3~R4、不贴R1~R2以切换到测试点。为了满足USB数据线信号完整性要求，连接测试点的叉线尽量短。
图4.3 USB跳选走线示意图
4.1.2 USB数据传输
模组上电开机或复位重启时，如果检测到USB_BOOT为低电平，USB端口会枚举出3个串口，用于AT指令发送和log输出。
4.1.3 USB下载固件
模组上电开机或复位重启时，如果检测到USB_BOOT为高电平，USB端口会枚举出一个下载专用串口，此时下载工具可以通过USB接口进行固件升级。如果超过15秒没有连接下载工具，模组会按照正常启动的USB配置，重新枚举出3个串口。
USB_BOOT接口参考设计如下。
图4.4 USB_BOOT参考设计
4.2 UART通信
模组提供了两个通用异步收发器：主串口和调试串口。主串口波特率可配，调试串口仅用于调试和测试用。
表4-2 串口引脚定义
注意事项：
1、串口接口从属于VDD_EXT电源域，最高电压不能超过3.6V，RXD具备防倒灌功能。
2、VDD_EXT电源域在睡眠模式下会掉电，MAIN_RXD切换到内部1.2V电源。
3、串口RXD引脚内部有上拉，不需要外部再接上拉电阻。
4、串口使用中注意电平一致性的问题，否则容易产生漏电流。
4.2.1 串口应用
主串口特点：
●用于AT命令通信和数据传输，默认波特率为115200bps。
●可配置为：600/1200/2400/4800/9600/19200/38400/57600/115200/230400/460800bps。
●用于固件升级，升级时默认波特率为921600bps。
●主串口支持低功耗唤醒功能。
调试串口特点：
●通过平台提供的专用工具，调试串口可查看日志信息进行软件调试，默认为3000000bps。
●串口连接方式示意图如下：
图4.5 串口连接示意图
4.2.2 串口电路参考设计
合适的串口电平转换电路主要考虑的要素有：是否满足串口的工作速率、有低功耗要求的场景，其功耗是否满足要求等。以下提供了一些电平匹配电路方案供参考，根据产品实际需求选择下列适合的方案或自行定义。
1)典型晶体管电平转换参考电路
此电路成本低，电平转换适用范围宽（主控电平1.8V～5.0V都可以用），但是对串口波特率有限制，波特率最高能只能达到921600bps。参考设计如下，同时注意电平转换的方向。
图4.6 晶体管电平转换参考电路
推荐三极管，供参考：
品牌：CJ 规格型号：S8050 J3Y 封装：SOT-23
2)主控电平低于3.6V下的转换参考电路
当终端主控MCU的电平是1.8V或3.3V时（低于引脚最高耐压3.6V），其中MCU的TXD与Module的RXD连接可以参考下面的转换电路。
图4.7 1.8V或3.3V电平转换参考电路
3)主控电平高于3.6V的转换参考电路
当终端主控MCU的电平是5.0V时（高于引脚最高耐压3.6V），其中MCU的TXD与Module的RXD连接可以参考下面的转换电路。
图4.8 5.0V电平转换参考电路
推荐二极管，供参考（需要注意二极管的前向电压）：
品牌  RC 规格型号 RB520S-30T1G 封装:SOD-523
4.3 USIM卡接口
模组包含一个外部USIM卡接口，支持模组访问USIM卡。该USIM卡接口支持3GPP规范的功能。外部USIM卡通过模组内部的电源供电，支持1.8/3.0V的SIM卡。
表4-3 外部USIM卡接口引脚定义
4.3.1 USIM卡电路参考设计
图4.9 6PIN SIM卡参考电路
4.3.2 USIM卡电路设计注意事项
为保证SIM卡在应用中的可靠性和可用性，请务必阅读并按照以下标准进行SIM卡电路设计：
●布局时尽可能的将SIM卡靠近模组，信号线布线长度尽可能不超过200mm。
●SIM卡信号线远离RF走线和VBAT电源线。
●SIM卡的GND布线要短而粗，确保布线宽度不小于0.5mm。USIM_VDD的去耦电容不超过1uF，且电容应靠近外部SIM卡的VCC摆放。
●为避免USIM_DATA和USIM_CLK之间的信号相互串扰，两者布线不能太近，在两条走线之间需增加地屏蔽，同时为了避免走线过长带来的影响，USIM_DATA一般需要增加电阻上 拉到USIM_VDD以提高驱动能力。如果走线过长，建议外部预留10K电阻靠近卡槽放置。此外，USIM_RST信号也需要包地保护。
●SIM卡外围电路应该靠近SIM卡摆放。为确保良好的ESD防护性能，建议在外部USIM卡的引脚增加TVS管。选择的TVS管寄生电容应不大于15pF，ESD保护器件尽可能靠近外部 SIM卡摆放，并确保被保护的SIM卡信号线先通过ESD保护器件再到模组。模组和SIM卡信号线之间需要串联22欧姆的电阻用以抑制杂散EMI，增强ESD保护。此外并联的33pF电容用于滤除射频干扰。
5 射频特性。
模组提供一路Cat.1射频接口，特性阻抗为50Ω。
5.1 天线接口和工作频段
ANT_MAIN是模组的RF天线接口，特性阻抗为50Ω。
表5-1 RF天线引脚定义 表5-2 RF天线频段
5.2 发射功率
表5-3 传导功率
5.3 接收灵敏度
描述蜂窝部分射频接收灵敏度等特性。
表5-4 单传下的传导接收灵敏度（吞吐量≥95%）
5.4 天线参考设计
用户在使用模组时，模组的RF天线接口和用户底板的天线接口间需要加入π型匹配电路，典型天线匹配电路及初始参数如下图所示，电阻采用0欧姆，电容位置缺省不贴，同时器件封装推荐选用0201或0402封装。
如使用外置天线，或用户可以触碰到天线，建议预留一个TVS管以加强静电防护。因为TVS的寄生电容可能会影响天线性能，增加TVS管后建议重新调试天线。
ANT_MAIN到用户天线之间的布线要求符合50Ω的射频特性阻抗要求，同时射频走线的距离尽可能短，确保RF走线的插入损耗尽可能小。详细的布线要求见下节。
图5.1 射频天线参考电路
5.5 射频信号线布线指导
射频走线设计要求
本模组应用的系统中射频信号线的特性阻抗应控制在50Ω。一般情况下，射频信号线的阻抗由材料的介电常数εr、走线宽度W、对地间距D、以及参考地平面的厚度H决定。在物联网应用领域，PCB特性阻抗的设计通常采用共面波导方式来实现，有助于射频信号线得到更好的屏蔽，同时有更高的集成度实现小面积设计。下图介绍下不同层数PCB设计的结构要求。
图5.2 两层PCB板共面波导结构 图5.3 四层PCB板共面波导结构（参考地为第三层） 图5.4 四层PCB板共面波导结构（参考地为第四层）
LAYOUT设计中50Ω阻抗的控制方式可使用Polar Si9000设计软件工具，下图计算方式以PCB成品厚度为1.6mm为例，可以得出RF走线宽度W=0.65mm，线间距D=0.14mm。
图5.5 50Ω阻抗的计算方法参考
下图为PCB射频电路的LAYOUT示意图，建议如下：
●RF线宽W及线间距D以如上的设计结果为准进行设计。
●π型电路中三颗外部匹配预留器件紧密摆放，其中预留的NC器件在LAYOUT设计中可以放置在同一侧，也可以放置在两侧（如图）。
●RF走线两侧的GND平面必须要放置不规则过孔VIA，确保在RF走线最近的两侧GND平面上有VIA（如图中绿框区域），整个RF走线空间下方必须有完整的GND平面（如图中蓝色区域）。
图5.6 射频走线LAYOUT设计示意图
模组在产品中的走线设计指导：
射频走线的合理与否可直接在模组的传导测试中表现出来，但是为了保障产品的整机能发挥最大性能，还要求天线设计的配合。为了更好的满足天线设计的需求，在PCB设计中希望做到以下要求，下面分别针对不同层数的整机PCB做指导：
1)产品PCB为2层设计时，模组正下方的TOP和BOTTOM LAYER最好都是GND层，模组需要引出的走线避免走模组正下方，都从模组外侧引出；
2)产品PCB为4层设计时，模组需要引出的走线建议走在第三层或第四层，保留第一层和第二层给模组作完整的GND参考层。
5.6 天线设计要求
模组终端使用天线要求：选用符合模组工作频段的天线，要求天线的特性阻抗为50Ω，在工作频段内的插入损耗越小越好，驻波比VSWR≤2，天线性能越好则模组的效率也越高，覆盖范围越广。
5.7 射频连接器推荐
连接天线的两种常规方式：
●焊盘焊接：天线的一端采用高频电缆直接焊接到产品的天线输出口。
●高频头：采用SMA、IPX端子的连接方式，其中IPX端子推荐使用Hirose的UF.L-R-SMT连接器，IPX端子实物图片，SMA连接器实物图片。
适合Cat.1不同场合使用的天线类型如下，但不仅限于此：
图5.7 Cat.1常规天线类型推荐
6 电气性能和可靠性
6.1 绝对最大额定值
表6-1 引脚电压最大额定值
6.2 电源额定值
表6-2 工作电压范围
注：⑴当模组在此电压范围内工作时，模组的相关性能满足3GPP标准要求。
6.3 工作和存储温度
表6-3 工作温度范围
注：⑴当模组在此温度范围内工作时，模组的相关性能满足3GPP标准要求。
⑵当模组在此温度范围内工作时，模组仍能保持正常工作状态，不会出现不可恢复的故障；仅个别指标，如输出功率等参数值可能会超出3GPP标准的范围。当温度恢复至正常工作范围时，模组的各项指标仍符合3GPP标准。
⑶此存储温度范围，不包含包装材料，需要注意卷带包装的最高耐受温度。
6.4 功耗
表6-4 模组耗流
注：⑴NT26E Y0A-P-B01关机功耗为1uA；
⑵NT26E Y0A-P-B01睡眠模式CFUN=0下的功耗典型值为2.1uA。
6.5 数字逻辑电平特性
表6-5 逻辑电平特性
6.6 静电防护
静电防护说明：在模组应用中，由于人体静电、微电子间带电摩擦等产生的静电，通过各种途径放电给模组，可能会对模组造成一定的损坏。因此，应该重视ESD防护。在研发、生产组装和测试等过程中，尤其在产品设计中，均应采取ESD防护措施。例如，在电路设计的接口处以及易受静电放电损伤或影响的点，应增加防静电保护、测试设备要保证良好接地，以及生产中应穿防静电服并佩戴防静电手环等。
表6-6 引脚静电防护等级
7 机械尺寸
7.1 机械尺寸
图7.1 模组机械尺寸图（左：俯视图，右：底视图）
7.2 模组俯视图/底视图
图7.2 模组俯视/底视图
以上是模组的设计效果图，请以模组实物为准，尤其是标签内容仅供示意。更多的信息，如模组封装推荐、生产指导及包装方式等请参考我司的生产指导文档。
7.3 推荐封装
模组推荐焊盘如下图所示，用户可根据自身生产工艺进行微调。
●模组四周引脚内部采用直角设计，用户设计底板焊盘时，请考虑采用圆角过渡；模组底部的正方形焊盘，底板设计时可采用模组引脚尺寸，如下图单个焊盘参考设计图。
●为了便于开阶梯钢网，建议模组焊盘外侧2.0mm范围内不要布局其它元器件，此距离用户可参考自家钢网厂家的要求来确定。
图7.3 模组推荐焊盘
注：模组焊盘都是以模组中心点对称分布的。
8 生产及包装信息
本章描述了模组的包装、储存、生产、维修等指导信息，适用于模组的组装过程指导。
8.1 包装规格
本模组出厂包装采用胶轮载带方式，胶轮参考尺寸如下：
载带进料方向如下：（参考图，标签内容以实际为准，注意模组PIN1位置） 图8.1 包装规格及尺寸
8.2 存储条件
模组以真空卷盘密封袋的形式出货，湿度敏感等级为MSL 3。
储存条件：
1)温度小于40℃，湿度小于90%(RH)，在密封包装良好的情况下可确保12个月的可焊接性。
2)拆封后，在环境温度小于30℃和相对湿度小于60%(RH)的情况下，确保168小时内进行贴片装配。
如不满足上述条件需要进行烘烤：
1)卷带包装，在60℃±5℃条件下烘烤24~48小时。
2)如果需要加速烘烤，需要将模组从卷带中取出，放置在耐高温容器上（例如托盘）烘烤（取出过程需要注意ESD防护），在125℃±5℃条件下烘烤8小时。
3)烘烤累计时间不能超过96小时。
更详细的指导请参考IPC/JEDECJ-STD-033规范。
8.3 生产焊接
如果客户使用模组的底板是双面板，则建议模组放在第二次贴片。第一次贴片时客户的底板最好在网带上过炉，第二次贴片也尽量放在网带上过炉，如果因特殊原因不能放在网带上过炉，也要考虑使用治具在轨道过炉或垫一个平的耐高温平直模板托住PCBA过炉，防止过炉时PCB变形导致模组虚焊。
8.3.1 回流焊作业指导
PCBA回流焊炉温曲线，与使用锡膏有关，需根据锡膏实际调整。数据仅适合无铅作业，参看图8.2无铅回流焊作业指导。
图8.2 无铅回流焊作业指导
8.3.2 生产工艺
在生产焊接或者其他可能直接接触模组的过程中，不得使用任何有机溶剂（如酒精，异丙醇，丙酮，三氯乙烯等）擦拭模组屏蔽罩；否则可能会造成屏蔽罩生锈。
如需对模组进行喷涂、灌胶，请确保所用喷涂、灌胶材料不会与模组屏蔽罩或PCB发生化学反应，同时确保喷涂、灌胶材料不会流入模组内部。
8.3.3 维修
如果模组出现虚焊、短接等不良需要维修时，请按如下参数进行：
●无铅工艺：烙铁温度380±10℃，烙铁接触时间≤5S。
●有铅工艺：烙铁温度350±10℃，烙铁接触时间≤5S。
模组不建议使用热风枪吹，以免影响模组性能。
9 相关文档及术语缩写
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发表于 2023-5-6 10:40:29