RF模组sleep状态下做到最低功耗

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　　背景

　　本文对RF模组在Sleep状态下如何做到最低功耗进行说明。
　　RF模组使用者在使RF模组进入Sleep后测试电流时有时会发现模组的功耗和规格书的Sleep状态电流值对应不上。
　　这种情况都是让RF模组进入Sleep后，MUC和RF模组链接的IO的状态配置不正确造成的。

　　内容

　　一、RF模组sleep时RF模组的IO状态

　　先要获知RF模组Sleep时，RF模组的IO的状态。该信息可从模组规格书，模组主芯片手册或者模组主芯片厂家处获取。下面以SX126X和LLCC68系列模组为例进行说明。

　　SX126X和LLCC68系列模组主芯片在各个状态下的各个IO的状态如下图所示：

　　我们主要关注Sleep状态下的各个IO的状态，并进行如下分类：
　　1、HIZ PD（高阻态下拉）：包含IO有 DIO3、DIO2、DIO1
　　模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入下拉即可。

　　2、HIZ PU（高阻态上拉）：包含IO有 BUSY
　　模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入上拉即可。

　　3、HIZ（高阻态无上拉和下拉）：包含IO有 MISO、MOSI、SCK
　　建议：这类IO当模组为Sleep时建议配置MCU的IO为下拉输入（对应MISO）或输出低（对应MOSI、SCK）或 模拟输入
　　注意：模组的这类IO对应的MCU的IOsleep如果配置为浮空输入状态，可能出现MCU内部IO的施密特触发器在由外部噪声引起的逻辑电平之间随机切换。这增加了总体消耗。这种现象是随机的，可能和温度、PCB走线等都有关系。

　　4、IN（输入无上拉和下拉）：包含IO有 NSS
　　模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输出高电平即可。

　　5、IN PU（输入上拉）：包含IO有 NRESET
　　模组的这类IO在sleep时MCU的IO配置为输出高电平即可。

　　6、模组上有但是主芯片上没有的CTL1和CTL2
　　这两个IO时模组上的高频开关上的控制引脚，模组sleep时，请把MUC对应的这两个IO都输出低电平。

　　结论
　　1、实际应用中如果模组的DIO3、DIO2、DIO1 这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入上拉则有可能增加sleep功耗。
　　2、实际应用中如果模组的BUSY 这类IO在sleep时MCU的IO配置为输入下拉则有可能增加sleep功耗。
　　3、实际应用中如果模组的MISO、MOSI、SCK这类IO在sleep时MCU的IO配置为浮空输入则有可能增加sleep功耗。
　　4、实际应用中如果模组的NRESET只在模组复位时有电平变化，在模组进出sleep过程中都不要进行电平操作。
　　5、实际应用中如果模组的CTL1和CTL2如果不输出低，则高频开关未关闭，则会增加sleep功耗。